Circuito integrado APM4550 duplo Mosfet canal N e P Dip8 Original

Geralmente esse Circuito integrado APM4550 é utilizado em fonte chaveada, onde a oscilação dele gera as tensões. Circuito integrado APM4550 Mosfet duplo canal N e P.

Circuito integrado APM4550 duplo Mosfet canal N e P Dip8 Original

Características

N-Channel

• Tensão: 30V
• Corrente: 8A
• Potencia de dissipação: 2,5W
• Temperatura de trabalho: -55 a 150°C

P-Channel

• Tensão: 30V
• Corrente: 7A
• Potencia de dissipação: 2W
• Temperatura de trabalho: -55 a 150°C

Acompanha

• 1 x Circuito integrado APM4550

Transistor Mosfet

A palavra “metal” no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOS ou PMOS.

Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs.O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido.

Simbolo de esquema elétrico de um MOSFET

Existem também modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito úteis e com grande utilização na indústria eletrônica.